Объект: EDM01G

../../../../_images/logo_ru_no_text.png

Библиотека: ElectricalDrive

Имя на уровне решателя: ElectricalDrive.EDM01G

Аннотация: Модель ключа IGBT-диод

Обозначение: Модель ключа IGBT-диод

Порты (степени свободы) компонента:

№

Обозначение порта

Тип

Наименование порта

1

Ein

ELECTRIC

Эмиттер

2

Eout

ELECTRIC

Коллектор

3

Gin

ELECTRIC

Управляющий электрод

Пользовательские параметры модели:

№

Параметр

Тип

Описание

Единица

Значение по умолч.

1

Goff

real

Проводимость закрытого диода, S

Sm

1.0

2

Ron

real

Сопротивление открытого диода, Ом

ohm

1.0e-10

3

Vf

real

Напряжение прямого включения, В

V

1.0

4

Vth

real

Пороговое напряжение, В

V

1.0

Расчетные и измеряемые величины:

№

Параметр

Описание

Единица

1

V_Voltage1

Электрический потенциал на порте ;

V

2

S_ElectricCurrent1

Электрический ток на порте ;

A

3

V_Voltage2

Электрический потенциал на порте ;

V

4

S_ElectricCurrent2

Электрический ток на порте ;

A

5

V_Voltage3

Электрический потенциал на порте ;

V

6

S_ElectricCurrent3

Электрический ток на порте ;

A

Пример использования компонента

Модель IGBT с диодом (EDM01G)

Компонент EDM01G (модуль ElectricalDrive) реализует модель IGBT-ключа, объединённого с обратным диодом. Модель учитывает сопротивление в открытом состоянии Ron, падение напряжения в обратном направлении UI, сопротивление снаббера Rsn, а также сопротивление диода в прямом направлении RonVD и падение напряжения на диоде в прямом направлении UfVD. Компонент предназначен для анализа работы силовых полупроводниковых приборов в схемах электроприводов, импульсных преобразователях и инверторах.

Проверка работы IGBT-ключа с обратным диодом при подаче импульсного управляющего сигнала.

Начальные данные:

Параметры модели
Ron — сопротивление в открытом состоянии, Ом
UI — падение напряжения в обратном направлении, В
Rsn — сопротивление снаббера, Ом
RonVD — сопротивление диода в прямом направлении, Ом
UfVD — падение напряжения на диоде в прямом направлении, В

Входные сигналы
A1 — импульсный управляющий сигнал, подаваемый на затвор IGBT

end = 1 с — Время интегрирования

Схема тестирования:

Схема содержит IGBT-ключ с обратным диодом EDM01G1, включённый в цепь с нагрузкой. Управление осуществляется импульсным сигналом A1. Выходное напряжение V1 измеряется на нагрузке. Результаты выводятся на осциллографы Check1 и RUN.

Результат:

На графиках RUN и Check1 показаны управляющий сигнал EDM01G.A1 и выходное напряжение EDM01G.V1. Управляющий сигнал A1 имеет импульсный характер с высокой частотой. Выходное напряжение V1 изменяется в противофазе: когда IGBT открыт, напряжение на нагрузке близко к нулю, а когда закрыт — определяется напряжением питания и может достигать отрицательных значений (около –220 В), что связано с работой обратного диода и индуктивной нагрузки. Модель корректно отражает динамику переключения IGBT с диодом, подтверждая работоспособность компонента.

Схема теста
../../../../_images/EDM01G.sch.png

Рисунок 1 - Схема теста

Графики результатов теста
../../../../_images/EDM01G.RUN.png

Рисунок 2 - EDM01G.RUN (управляющий сигнал A1 и выходное напряжение V1)

../../../../_images/EDM01G.Check1.png

Рисунок 3 - EDM01G.Check1 (управляющий сигнал A1 и выходное напряжение V1)