Модель: RDIOD

Библиотека: Electronics

Имя на уровне решателя: RDIOD

Аннотация: Резистивный диод (идеальный)

Обозначение:

Порты (степени свободы) компонента:

№	Обозначение порта	Тип	Наименование порта
1	Port1	base.DOF1	Электрический порт 1 анода диода
2	Port2	base.DOF1	Электрический порт 2 катода диода

Пользовательские параметры модели

№	Параметр	Тип	Описание	Значение по умолч.
1	Goff	base.real	Проводимость закрытого диода, 1/Ом	1.0e-10
2	Ron	base.real	Сопротивление открытого диода, Ом	1.0
3	Vf	base.real	Напряжение переключения, В	1.0

---

Результаты тестирования

www.laduga.com

Глава 1. Заданные параметры теста

Название тестируемого компонента	RDIOD
Модуль тестируемого компонента	Electronics
Дата тестирования	Tue Mar 3 19:13:44 2026
Результат	OK

Глава 2. Схема тестируемого объекта

Идеальный диод. Проверка обратного включения.

Описание устройства

Идеальный диод — это полупроводниковый прибор, который обладает идеализированными характеристиками:

• Проводит ток без потерь в прямом направлении (нулевое сопротивление).

• Полностью блокирует ток в обратном направлении (бесконечное сопротивление).

В отличие от реальных диодов, идеальный диод не имеет прямого падения напряжения в открытом состоянии, что позволяет моделировать ключевые схемы с минимальными потерями мощности без усложнения модели.

Режим обратного включения

В данной тестовой схеме диод включен в обратном направлении. В этом случае его сопротивление определяется проводимостью в закрытом состоянии:

\[R_{обр} = \frac{1}{G_{off}}\]

где \(G_{off}\) — проводимость диода в закрытом состоянии.

Расчет тока в цепи

Схема представляет собой замкнутый контур, состоящий из источника ЭДС E, его внутреннего сопротивления r и идеального диода, включенного обратно. Согласно закону Ома для полной цепи, ток определяется по формуле:

\[I = \frac{E - V_f}{R_{обр} + r}\]

где \(V_f\) — прямое падение напряжения (для идеального диода в обратном включении играет роль источника, включенного встречно).

Подставляя исходные данные:

\[R_{обр} = \frac{1}{1 \times 10^{-10}} = 1 \times 10^{10}\ \text{Ом}\]

\[I = \frac{1 - 0.1}{(1 \times 10^{10}) + (1 \times 10^{-6})} \approx \frac{0.9}{1 \times 10^{10}} \approx 9 \times 10^{-11}\ \text{А}\]

Таким образом, ток в цепи пренебрежимо мал и составляет приблизительно 0.09 нА, что соответствует блокировке тока в обратном направлении.

Исходные данные

Параметры элементов схемы:

• E (источник ЭДС) = 1 В

• r (внутреннее сопротивление источника) = 1×10⁻⁶ Ом

• Vf (прямое падение напряжения) = 0.1 В

• Ron (сопротивление в открытом состоянии) = 1.0 Ом

• Goff (проводимость в закрытом состоянии) = 1×10⁻¹⁰ См

Схема теста

Рисунок 1 — Схема тестирования идеального диода (обратное включение)

Глава 3. Графики результатов теста

Рисунок 2 - Electronics_model_Rdiod.RUN

Рисунок 3 - Electronics_model_Rdiod.Check1